纳米芯片是一种采用纳米技术制造的芯片。在制造过程中,首先生长交替的Si和SiGe外延层的超晶格来形成纳米片的基础。其关键步骤包括沉积内部电介质间隔物以保护源极/漏极区域并定义栅极宽度,以及用于去除牺牲层的沟道释放蚀刻。此外,纳米片之间需要用栅极电介质和金属填充,其中栅极金属可能会引入新材料,如钴、钌、钼、镍和各种合金。 纳米芯片的结构可能具有三层、五层或更多层的每种材料,微小的垂直fin在超晶格结构中被图案化和蚀刻。在间隔蚀刻中,超晶格结构中的SiGe层的外部部分被凹陷,然后用介电材料填充。之后形成源
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在现阶段全球“缺芯”的状态下,全球芯片制造持续加仓,芯片竞争愈发激烈。tsmc和三星电子两大巨头占有一定主导型,先后宣布了3纳米芯片工艺研发试产。而美国科技巨头IBM突然推出了全球第一个2纳米制程半导体芯片技术。
芯片是很多制造产业都有极高需求量的一种半导体材料,近两年以来,芯片短缺问题迟迟不能得到良好的解决,与此同时,芯片技术瓶颈已现,这一问题也正是研究者们不断寻求突破的难题,据悉,这类纳米芯片兴许能够拯救它。
最近,我国武汉新芯公司宣布称,其自主研发的50纳米存储芯片已在前几日全线生产了,在现在的存储芯片领域,一般的芯片技术都是65纳米,武汉新芯的50纳米芯片技术已经接近该存储芯片的物理极限了。
本月初,IBM宣布了5纳米芯片全新技术,而在去年10月,美国劳伦斯伯克利国家实验室成功研发出栅极仅长1纳米的晶体管——比一条DNA链还小。 随着摩尔定律濒临极限,今后我们手机、电脑里用的芯片会变成什么样?
英特尔在代工领域的主要竞争对手包括台积电和从AMD分拆出来的GlobalFoundries,他们都为Nvidia和高通等企业生产ARM架构的芯片。台积电和GlobalFoundries从明年开始将分别使用16和14纳米芯片生产配备3D晶体管的芯片,但英特尔希望与之争夺业务,并将为Altera生产14纳米64位ARM芯片。
作为全球最大的半导体芯片制造商英特尔,近日宣布将生产新一代的1010纳米工艺芯片。不过该公司也已经考虑10纳米芯片的生产选址,或将引入以色列生产。而随着制程工艺的降低,单个芯片上容纳的晶体管就越多,性能也会得到改善。
据业内人士透露,台湾芯片代工厂商联电(UMC)已向高通交付了28nm芯片样品进行验证,并与Globalfoundries的竞争,努力成为继台积电之后高通第二个28nm芯片代工合作伙伴。
灿芯半导体宣布与客户合作开发的40纳米芯片设计项目数量累计达到十个,这些项目均基于中芯国际的40纳米制造工艺。
中芯国际二期项目日前在北京经济技术开发区奠基,将建设2条产能各为3.5万片的生产线。建成后将实现技术水平为32-28纳米的芯片在国内量产“零”的突破,进一步减弱国内高技术芯片对进口的依赖。该项目是本市继京东方8.5代TFT-LCD生产线后,又一个总投资超过300亿元的重大项目。
台积电表示,Nvdia和AMD都坚持他们的28纳米推出时间表。Nvidia方面计划于今年之内正式开始量产其第一代Kepler芯片,但是确切来说消费者应该还需要等到2012年年初才能购买到相应产品,这一点正如此前外界所透露的消息一样。至于AMD的东南群岛新一代GPU,预计也将于同一时间亮相。