纳米芯片是一种采用纳米技术制造的芯片。在制造过程中，首先生长交替的Si和SiGe外延层的超晶格来形成纳米片的基础。其关键步骤包括沉积内部电介质间隔物以保护源极/漏极区域并定义栅极宽度，以及用于去除牺牲层的沟道释放蚀刻。此外，纳米片之间需要用栅极电介质和金属填充，其中栅极金属可能会引入新材料，如钴、钌、钼、镍和各种合金。 纳米芯片的结构可能具有三层、五层或更多层的每种材料，微小的垂直fin在超晶格结构中被图案化和蚀刻。在间隔蚀刻中，超晶格结构中的SiGe层的外部部分被凹陷，然后用介电材料填充。之后形成源
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