灿芯半导体合作开发的40纳米芯片项目达十个
2013-01-10 12:00:31
来源：大比特半导体器件网
摘要： 灿芯半导体宣布与客户合作开发的40纳米芯片设计项目数量累计达到十个，这些项目均基于中芯国际的40纳米制造工艺。
灿芯半导体宣布与客户合作开发的40纳米芯片设计项目数量累计达到十个，这些项目均基于中芯国际的40纳米制造工艺。
灿芯半导体开发的先进技术芯片广泛应用于高成长的移动设备领域，如智能手机。灿芯半导体的40纳米项目大多采用了先进的ARM? Cortex?系列内核，包括A5、A7、A9，以确保芯片高性能和低功耗的要求。随着通信与计算功能在移动终端上的进一步融合，多媒体、游戏与办公应用的功能对芯片性能提出了更高的要求，降低功耗成为半导体技术一个必须解决的问题。灿芯半导体将先进的低功耗设计方法运用在40纳米芯片项目中，满足客户产品较为广泛的特性和技术要求。
灿芯半导体致力于先进技术的芯片设计开发，截止到2012年第三季度，线宽小于65纳米的项目累计数量已占到总数的一半。灿芯半导体还积极投入研发28纳米的芯片设计技术，以满足客户将来的需求。
“中芯国际第一颗量产的40纳米产品就是灿芯半导体的项目。他们在先进技术项目上的成功凸显了灿芯半导体的技术实力”，中芯国际首席执行官邱慈云博士表示：“灿芯半导体是中芯国际重要的战略合作伙伴，他们的成功也将给中芯国际带来更多先进制程的订单。”
灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士说：“我们一直同中芯国际以及我们共同的客户紧密合作，开发综合解决方案，以解决40纳米的设计和制造问题。我们立志提供业界领先的技术和服务，产品的高性能和快速上市是我们的目标。我们非常有信心公司在未来几年继续保持增长。”
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