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全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. 生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管。
英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
本文主要介绍了常见的7种二极管，分别是：肖特基二极管、变容二极管、稳压二极管、普通二极管、隧道二极管、发光二极管和红外接收二极管。
本文主要介绍了肖特基二极管，它的全称是肖特基势垒二极管，大部分的肖特基二极管都是用硅半导体制作的，肖特基二极管属于大电流、低功耗、超高速的半导体整流器件。
本文主要介绍了肖特基二极管和快恢复二极管有什么不同，首先从它们的反向恢复时间、工艺、构造这三个方面来进行介绍。肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍左右，肖特基二极管大概是几纳秒!
本文主要从介绍了肖特基二极管的四大特性，分别是：肖特基二极管的正向导通压降与导通电流成正比，肖特基二极管在75℃时要降额使用，肖特基二极管的反向电压越大，漏电流就会越大等。
一般的二极管可以按功能来分，也可以按开关的快慢来分，压降在0.1--0.2V之间的是肖特基二极管；二极管有三个主要参数是：电流、耐压和开关的快慢。
面向解决低功率无线供电的方案把肖特基二极管电桥和LDO电压调整器组成一体的超薄电源ICXCM414系列
著名的电源半导体技术公司 深圳市锐骏半导体有限公司 最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。
