超低最大导通电阻的电阻器在电流传输和功率控制中具有优异的表现。这种电阻器具有非常低的导通电阻,因此能够有效地控制电流和功率,同时减少能源的消耗。 在许多应用中,如电源管理、电机驱动、电池保护等,需要精确控制电流和功率。超低最大导通电阻的电阻器能够提供更精确的电流和功率控制,从而提高系统的性能和可靠性。 此外,这种电阻器还具有优异的热稳定性和高可靠性,能够在高温和高湿环境下工作,适用于各种恶劣的工作环境。
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夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。