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在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
Palmas复合型电源浪涌保护器将压敏电阻（MOV）、陶瓷放电管（GTD）、瞬态抑制二极管（TVS）、浪涌电阻（SR）, 温度控制保险管等各种防雷、瞬态过电压保护元器件、通过串联和并联的矩阵方式排列在PCB电路板，由主放电电路和控制电路组成。解决了残压、响应时间、漏电流、通流量、工频续流、使用寿命的问题。
本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
磁控溅射是近年来得到广泛应用的成膜方法，相比于目前电压敏行业中广泛采用的烧银电极，溅射膜电极具有膜层致密，厚度均匀，附着性强等优点。溅射膜电极不管从生产工艺上还是膜层质量上，都显现出传统的烧银电极不可比较的优越性，采用磁控溅射制备ZnO压敏电阻电极，将是今后陶瓷金属化的主流技术。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
氧化锌陶瓷电阻是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有线性的电压—电流特性，电阻率可调，电阻温度系数小且为正，耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻的性能，以及性能与配方、工艺的关系，探讨了氧化锌陶瓷电阻的微观结构和导电模型。
采用传统固相法制备稀土氧化物Gd2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明：随着Gd2O3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增，非线性系数先增加后减小，而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。
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本文说明如何使用LTspice®仿真来解释由于使用外壳尺寸越来越小的陶瓷电容器而引起的电压依赖性（或直流偏置）影响。尺寸越来越小、功能越来越多、电流消耗越来越低，为满足这些需求，必须对元件（包括MLCC）的尺寸加以限制。因此，电压依赖性或直流偏置的影响也受到关注。
