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采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系，制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度，详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示，氧化锌煅烧温度为1000 ℃，瓷体烧结温度为1240 ℃时，电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。
在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
Palmas复合型电源浪涌保护器将压敏电阻（MOV）、陶瓷放电管（GTD）、瞬态抑制二极管（TVS）、浪涌电阻（SR）, 温度控制保险管等各种防雷、瞬态过电压保护元器件、通过串联和并联的矩阵方式排列在PCB电路板，由主放电电路和控制电路组成。解决了残压、响应时间、漏电流、通流量、工频续流、使用寿命的问题。
本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
磁控溅射是近年来得到广泛应用的成膜方法，相比于目前电压敏行业中广泛采用的烧银电极，溅射膜电极具有膜层致密，厚度均匀，附着性强等优点。溅射膜电极不管从生产工艺上还是膜层质量上，都显现出传统的烧银电极不可比较的优越性，采用磁控溅射制备ZnO压敏电阻电极，将是今后陶瓷金属化的主流技术。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
氧化锌陶瓷电阻是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有线性的电压—电流特性，电阻率可调，电阻温度系数小且为正，耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻的性能，以及性能与配方、工艺的关系，探讨了氧化锌陶瓷电阻的微观结构和导电模型。
采用传统固相法制备稀土氧化物Gd2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明：随着Gd2O3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增，非线性系数先增加后减小，而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。
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