非易失性存储器(英语:non-volatile memory,缩写为NVM)是指当电流关掉后,所存储的数据不会消失的电脑存储器。非易失性存储器中,依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准,可分为二大类产品,即ROM和Flash memory。
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本文主要介绍了存储器厂家一直在尝试在一个封装中集成RAM和NAND的共同优点,但是一直没什么进展,最近英国的兰开斯特大学的专家称,他们成功制造出一种新型的非易失性存储器。
全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)日前通过其子公司Silicon Storage Technology(SST)宣布推出已通过认证、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite®技术平台的、SST低掩膜次数的嵌入式SuperFlash®非易失性存储器(NVM)技术。
虹宏力在集成电路生产制造领域有着丰富的经验,在差异化创新方面是行业的先行者。胡湘俊先生介绍说,华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域一直处于业界领先地位,拥有全系列的嵌入式非易失性存储器工艺平台组合,从0.5微米到0.13微米,涵盖OTP、MTP、EEPROM和Flash等技术。
作为一家半导体逻辑非易失性存储器(NVM)知识产权供应商,Kilopass科技有限公司日前宣布,成长战略咨询和市场研究的重要供应商Frost & Sullivan授予其2012年NVM全球技术创新奖。
日前,半导体逻辑非易失性存储器 (NVM) 知识产权 (IP) 领先提供商 Kilopass Technology Inc.与世界领先的集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所股份代号:981)今日宣布,Kilopass IP 已成功完成中芯国际 65、55、40 纳米低漏电(LL) CMOS 工艺技术的 JEDEC 三批资格认证。
赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)日前宣布,该公司在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器(F-RAM)产品,提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器,为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的n
世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 在刚举行的硅谷Design West/嵌入式系统会议 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 发布新型低功耗F-RAM存储器产品,进一步加强公司帮助客户改