3D晶体管技术是一种新型的电子器件技术,它采用三维结构而不是传统的二维平面结构。这种技术可以提高晶体管的性能和可靠性,并且可以减小晶体管的体积和功耗。 3D晶体管技术的原理是通过在垂直方向上堆叠多层晶体管来实现高度集成。每一层晶体管都有自己的栅极控制,通过控制各个栅极的电压,可以控制电流的开关。这种设计可以减少漏电,提高晶体管的开关速度和可靠性。 3D晶体管技术的应用范围非常广泛,包括计算机处理器、移动设备、可再生能源系统等。在计算机处理器中,3D晶体管技术可以提高处理器的性能和能效,同时减小体积和
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为了完成Ivy Bridge处理器设计,英特尔创建了一种新架构,它使用了名为“Tri-gate”的3D晶体管技术。这种多维电子元件通过更紧密的设计加强处理器的热设计功耗指标。英特尔还将这种设计技术利用到了更加高效的14纳米制程工艺中。
FinFET是一种 3D晶体管技术,目前正初步获得芯片制造商的采用;大厂英特尔(Intel)则是将其3D晶体管技术称为“三闸(tri-gate)”,业界预计该公司将在今年底推出采用3D晶体管技术所生产的22nm芯片样品。
英特尔公布重大技术,下一代处理器基于3D晶体管。
分析师们表示,上述计划或能帮助英特尔与竞争对手抗衡,之前,英特尔的芯片大多被高增长的智能手机市场拒之门外。