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Micron日前宣布为其相变内存(PCM)组合增加新产品。随着其用于移动设备的45纳米(nm)1Gb基于PCM的多芯片封装(MCP)解决方案的大量顺利出货，本公司现已开始提供512Mb PCM加上512Mb LPDDR2 MCP的样品，为应用需求提供更大的灵活性。Micron还宣布已向全球领先的手机制造商之一Nokia提供1GbPCM，用于他们最近推出的手机。
Spansion公司(纽约证交所代码: CODE)今天宣布推出业界首款45纳米(nm)单芯片8Gb(千兆)NOR闪存产品。8Gb Spansion® GL-T可提供高品质的快速随机访问读取性能，助力游戏和工业应用中的互动图形、动画和视频实现更好的用户体验。
ICDH调查结果显示，中国顶尖IC设计公司已经采用了28纳米尖端技术开发芯片，而9.2%本地无晶圆厂半导体公司亦采用先进的45纳米或以下的工艺技术进行设计及大规模量产。
三星电子每年都会在台湾举办三星移动解决方案年度论坛。在去年的论坛中，三星半导体事业部社长权五铉就指出，三星希望积极提升在晶圆代工市场的竞争力。并表示，在技术上，三星的45纳米及32纳米已经量产，2011年将导入28纳米高介电金属闸极(HKMG)技术。三星因代工产能及市占率仍小，公司主要集中聚焦在低功耗及应用处理器市场上。
英特尔及三星抢单的原因不太一样。对英特尔来说，智能型手机及平板计算机等新杀手级应用，多半采ARM架构应用处理器，导致X86计算机处理器市场成长趋缓，因此准备把即将停产处理器的45纳米高介电金属闸极(HKMG)产能，移拨争取45纳米手机基频芯片代工订单
NOR 闪存记忆体的领先供应商 Spansion，以及中国最大、最先进的晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司，今日宣布双方将延伸目前的代工协议以扩展中芯目前的65纳米代工产能，并将为 Spansion 制造其45纳米闪存记忆体。
凌华科技发布高性能嵌入式模块化计算机Express-MV，此款产品符合COM Express Type 2规范，搭载英特尔45纳米制程Core2 Duo（客户也可选用Celeron M）处理器，英特尔GS45与ICH9M-SFF高速芯片组，配备支持容量最多可达8GB的双通道DDR3 800/1067 MHz SODIMM内存插槽。主要应用范围包括医用显像设备、医疗诊断器材、数字广告牌、汽车电子及信
台湾科研机构今天宣布，开发出全球第一个16纳米的SRAM新组件，由于可容纳晶体管是现行45纳米的10倍，这可使未来电子设备更轻薄.
ARM®和Soitec联合制造了这款测试芯片，在采用了一个著名的、行业标准的内核的实际芯片实施中显示出功耗节省的可能性。其目的是对用于同一产品的45纳米SOI高性能技术和体效应CMOS 45纳米低功耗技术作出比较。
嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的领先供货商 -- Kilopass 科技公司和世界领先的晶圆代工厂之一 -- 中芯国际集成电路制造有限公司今天宣布在嵌入式 OTP 的合作伙伴关系。Kilopass 是中芯国际于65纳米和45纳米工艺的第一个嵌入式OTP NVM合作伙伴。Kilopass 将于2009年底及2010年年中分别实现在中芯国际65纳米和45纳米OTP测试芯片的投片。
