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近日，安森美宣布推出Treo平台，这是一个采用先进的65nm节点的BCD工艺技术构建的模拟和混合信号平台。
你们知道吗？我国一直想早日完成国产替代，因此国产FPGA厂商一直在努力中，从90nm、65nm、40nm、再到28nmFPGA，可以看出我国离国产替代又进了一步，那么你们知道为什么是28nm FPGA吗？
Spansion公司除宣布整合富士通半导体MCU及相关业务外，还宣布与中国大陆300mm晶圆厂XMC共同签署一项技术许可协议。据该协议，XMC将获得Spansion浮栅NOR闪存技术授权。在XMC现有300mm晶圆产能基础上，双方将进一步扩大Spansion授权的65nm、45nm和32nm的MirrorBit闪存技术合作。
德州仪器 (TI) 与国际汽车供应商 Continental (大陆)宣布，双方合作推出首款支持闪存技术的 65 纳米 ARM Cortex 安全微控制器已投入量产。
2012年12月24日，无锡——无锡华大国奇科技有限公司自主研发的基于TSMC 65nm工艺节点的USB3.0/2.0 Combo PHY IP核通过了中国电子信息产业集团(CEC)组织的专家组的验收，其性能完全符合USB3.0 协议的物理层标准规范和USB IF(USB Implementers Forum)兼容性测试要求，且绝大多数参数大幅优于标准技术指标。目前，国奇科技正积极将此Combo
飞思卡尔2005年推出的i.MX3系列应用处理器(AP)因电子书而扬名，2009年推出主攻上网本的65nm i.MX5系列应用处理器，2011年开发出的基于1.0/1.2GHz Cortex-A9的40nm i.MX6系列应用处理器则主攻多媒体平板电脑和汽车信息娱乐市场。可以说，这几年以来飞思卡尔的市场拓展策略一直在小心翼翼地避开功能手机与智能手机市场，因为不想与高通、博通、三星、Marvell和
目前，国内外制作白光LED的方法是先将LED芯片放置在封装的基片上，用金丝进行键合，然后在芯片周围涂敷YAG荧光粉，再用环氧树脂包封。树脂既起保护芯片的作用又起到聚光镜的作用。从LED芯片发射出的蓝色光射到周围的荧光粉层内经多次散乱的反射、吸收，最后向外部发出。LED(蓝)的光谱线的峰值在465nm处，半值宽为30nm。
本文主要描述了采用1.2V基线65nm CMOS技术实现8.04Vpp和3.6GHz工作频率的首款宽带PWM控制RF SMPA驱动器。该CMOS驱动器连接了数字CMOS电路与高功率晶体管，可充当面向无线基础设施系统的下一代可重新配置多频多模发射器的主要构建模块。
全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技有限公司日前宣布：该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP，已被应用于中芯国际广受欢迎的65纳米低漏电(Low Leakage)工艺技术。
日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公司一起研发4F2 DRAM芯片产品。两家公司目前已经合力成功制造出了基于65nm设计准则的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片产品。
