Spansion公司除宣布整合富士通半导体MCU及相关业务外，还宣布与中国大陆300mm晶圆厂XMC共同签署一项技术许可协议。据该协议，XMC将获得Spansion浮栅NOR闪存技术授权。在XMC现有300mm晶圆产能基础上，双方将进一步扩大Spansion授权的65nm、45nm和32nm的MirrorBit闪存技术合作。而存储器另一大厂美光正式宣布整合尔必达以及旗下子公司瑞晶，在正式入主之后，不仅位居DRAM市场三强之列，未来其存储器产品及产能也将做进一步调整，存储器版图将酿变。

XMC如果在32nm工艺实现突破，将在中国大陆半导体产业产生示范作用。

收购富士通半导体MCU及相关业务之后的Spansion，显然把目光越过了存储器，而欲在MCU相关应用领域大展宏图，但存储器仍是Spansion立身之本。其与XMC的合作始于2008年，此次选择XMC可谓顺理成章。Spansion首席执行官兼董事会成员John Kispert表示，XMC在生产技术、产品质量和成本控制上具有优势，Spansion关注质量和成本，而XMC在成本和质量控制上都非常出色，而且全球鲜见能提供32nm工艺的代工厂。

虽然是客户与供应商之间的合作，但对业界的影响亦见微知著。有业界专家分析，从目前大陆代工业发展来看，虽然中芯国际已开始赢利，但经营思路已然改变，现在的思路是确保赢利。另一国有企业华力微发展也不太妙。在这种情形下，XMC如果在32nm工艺实现突破，将为中国大陆半导体产业产生示范作用。莫大康进一步指出，从全球来看，32nm工艺不算很先进，实现这一工艺并不很困难，买好的光刻机差不多就能实现。

从合作层面来考量， Spansion与XMC合作可能更多只是简单的代工关系，而没有建立更深层次的合作。很可能Spansion对价格要求苛刻，对于XMC来说能否赚钱还很难说。从制造来看，Spansion只在美国有8英寸厂，没有自己的12英寸厂，相对于其他存储器厂商的IDM模式还有差距。

四大企业稳居领先地位

寡头垄断格局日益彰显，三星、海力士、美光、东芝等居于领先地位，这种格局也将日趋稳定。

8月初美光正式整合尔必达以及旗下子公司瑞晶也使得存储器市场发酵。

从今年第一季DRAM市场占有率来看，原美光与尔必达市场占有率各为13.0%及13.8%，整合之后，新美光集团市场占有率与SK海力士相当，成为仅次三星、与SK海力士并列第二的存储器大厂。而从闪存方面来观察，美光市场占有率仅2.7%，远低于尔必达的18.5%以及SK海力市的21.7%。整合之后，携美光优异的NAND Flash制程以及尔必达在闪存的地位，预计其将在相关领域提升市场占有率。移动存储器营收将占整体20%以上，对该市场的影响力将大幅增加。

“美光兼并尔必达，全球存储器三足鼎立态势确立。”莫大康说道。存储器的总产值约600亿美元，但DRAM、NAND及NOR等消耗了40%以上的总产能，因此被称为风向标。它的周期性起伏明显，目前在DRAM市场中，三星、海力士及美光称雄。在NAND中，包括三星、东芝、美光、海力士等居领先地位。顾文军分析说，合并之后，寡头垄断格局日益彰显，三星、海力士、美光、东芝等居于领先地位，这种格局也将日趋稳定。

据预测，全球NAND闪存芯片市场将持续增长，从今年的236亿美元增长到2016年的308亿美元。在闪存领域虽然Spansion市值相对较小，但其发展不断提速。第二季度财报显示，Spansion销售额达1.95亿美元，毛利率33.6%，净利率为9.5%。在过去3年中，其每个季度的利润率都是10%左右。John Kispert介绍说，下一季度预计还将按此比例增长。NOR仍是Spansion最大、最强的业务板块，Spansion会持续推出新品，持续增长和保持赢利。在NAND方面，Spansion也在持续加强，上一季度营收即翻番，预计下一季度营收也将翻番。John Kispert还指出，成本是闪存市场竞争关键，因而Spansion也将致力于持续降低成本，提高利润率，这是唯一能够持续不断对设计和研发进行投入的前提。

根据市场调研机构TrendForce调查，由于下半年PC出货仍不明朗，加上三星手机事业部开始购买SK海力士的移动存储器，SK海力士正积极调整其产品比例，下半年预计标准型存储器比重将仅剩30%。TrendForce认为，随着DRAM产业走入寡头垄断态势，供需已经不是价格涨跌的唯一依据，DRAM厂只要在某一产品形成寡头垄断甚至独占后，定能控制价格与市场，往年价格的大起大落将不复见，伴随而来的是稳定的市场价格与获利，这将是未来DRAM市场的走向。

莫大康指出，前段时期厂商将DRAM产能转到NAND上，如今DRAM价格上升，产能又吃紧，因而做存储器要经得住周期的亏损。随着一次又一次的兼并，未来格局将相对稳定。

3D闪存做先锋

存储器相对3D最容易实现，因为是把同一种芯片堆叠24层、32层就能提高容量，因此将在3D方面打先锋。

存储器虽然亦走在工艺领先进程的前列，但随着工艺的推进，亦面临新的挑战。业界主要投入量产的闪存芯片采用的是40多年前开发的浮栅结构。随着近来10纳米级制程工艺正式投入使用，存储单元间的间隔大幅缩小，使得电子外漏导致的电子干扰现象越来越严重。从某种程度上说，NAND闪存的微细化技术已达到了物理极限。

而借助于3D的力量，NAND闪存迎来新曙光。近期三星、东芝包括海力士都在努力，成为业界一大趋势。三星近日推出的3D NAND闪存，采用三星独创的“3D圆柱形电荷捕获型栅极存储单元结构技术”和“3D垂直堆叠制程技术”，与采用20纳米级单层结构的高性能NAND闪存产品相比，密度提高了两倍以上，由此显著提高了生产效率。三星此次将原来单层排列的存储单元以3D垂直堆叠方式重新排列，不仅同时实现了结构创新和制程创新，更将原有问题一并解决，使3D闪存芯片量产成为可能。这也使得3D芯片的发展进一步提速。

莫大康分析说，存储器相对3D最容易实现，因为是把同一种芯片堆叠24层、32层就能提高容量，因此存储器将在3D方面打先锋。未来NAND闪存竞争将迎来加高堆叠层数来实现大容量化的、彻底的技术转型。

莫大康最后指出，3D的路其实不好走，技术方面难度大，尤其是异质架构。其实最理想的是异质架构把逻辑、存储器、模拟、RF、MEMS都放在一起，这将实现半导体又一次大跃进，但目前还达不到。

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