IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)市场是电力电子领域的一个重要组成部分。IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”。IGBT市场的主要竞争者包括欧美日的知名企业,如英飞凌、意法半导体、安森美等
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近年来,全球主推节能减排、低碳经济,带动起了新能源汽车、智能电网、智能家电等诸多朝阳产业,高精密度的功率半导体市场自然水涨船高,而IGBT作为自动控制和功率变换的核心部件,在近几年全球IGBT市场规模一直保持着成稳步上升的趋势。
前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车,中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下,大功率IGBT迎来了新的春天,而这些应用带来新的课题,与之相应的是革新的永不止步。
IGBT 在电动车/动力混合汽车(EV/HEV)、再生能源(Renewable Energies)、马达驱动器(Motor Drive)、不断电动力系统(UPS)及交通上的应用是该市场的成长动力来源。
在2011-2012年IGBT市场少许反常性的下跌后,Yole分析师预期今年市场已回归稳定成长脚步,具体而言,市场规模预估将从今年的36亿美元,在5年后达到60亿美金。
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型功率管,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,综合了以上这两种优点,使得其非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告,由于绿色能源与能源效率得到更多的重视,以及政府投资支持和严格的能源政策,2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。
2010年销售额为5.897亿美元,比2009年劲增37%。2009-2014年中国IGBT销售额的复合年度增长率将达17.8%
在PCIM-Europe上,汇聚了电力电子行业各领域的企业,而中国方面,PCIM看上去就像一场IGBT功率模块厂商的聚会。