MOSFET，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于电子行业的半导体器件。MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，并于1960年6月首次推出。MOSFET的结构通常包括栅极、源极和漏极三个端子，其中栅极与源极之间有一层薄薄的金属氧化物绝缘层。MOSFET的工作原理依赖于沟道宽度中发生的电气变化以及载流子（空穴或电子）的流动。当在栅源极间加正电压时，尽管栅极是绝缘的，但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子
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