MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种电压控制型的半导体器件，主要用于电子电路中的信号放大和功率开关等功能。其基本结构是在一块 P 型（或 N 型）半导体衬底上制作两个高掺杂的 N 型（或 P 型）区，分别作为源极（S）和漏极（D），在源极和漏极之间的衬底表面生长一层薄的二氧化硅（SiO₂）绝缘层，再在绝缘层上制作一个金属电极作为栅极（G）。这种结构形成了一个由栅极电压控制的导电沟道，从而实现对源极和漏极之间电流的控制。
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