MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
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本周,多家半导体厂商发布最新产品进展,涵盖MOSFET驱动器、二极管、生物传感芯片、电源降压芯片等等。
创新电源管理与精密模拟解决方案领先供应商Intersil公司(纳斯达克交易代码:ISIL)今天宣布,推出两款集成了高边和低边MOSFET驱动器的新型55V双相同步升压控制器--ISL78227和ISL78229。
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。该全新脉宽调制(PWM)控制器与配套的低品质因数(FOM)MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计,涵盖了广泛的消费电子和工业应用。这两个全新系列彰显了Microchip对于其实现更高电压、更高效率及行业趋向的更小电源转换系统这一承诺的显著进步。
Microchip推出集成MOSFET驱动器的高电压模拟降压PWM控制器,以及高速、低FOM的MOSFET系列
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。新器件集成了关断电路,因此不需要外部的关断元件和副边供电电源。新的MOSFET驱动器极大降低了配置成本和PCB空间,并提高了整体的系统可靠性和
Intersil 推出全球最高轻负载效率MOSFET栅极驱动器,有效节省英特尔 VR11.1 CPU 多相开关稳压器设计的成本和占位面积 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布,推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器,为英特尔 VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力,以及快速上升/下
UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件冲突。当然,这种争议会阻碍数字控制电源以及查找控制器故障期间功率级保护策略的推广。这推动了不依赖数字电源控制器信号的具备功率级内部保护功能的MOSFET驱动器的发展。
此款产品是该公司在高电压LEDrivIR IC系列的首个产品,额定值为600 V,且利用滞环平均电流模式控制,达致精准的电流调节。新款LED降压驱动器包含附有高电压内部稳压器和高侧电流感应的低侧MOSFET驱动器。转换器则兼容电子脉冲宽度调变调光,电流控制覆盖0至100%。
Intersil公司今天推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案,非常适合用于开关电源、电机驱动器和D类放大器等应用。
目前,工程师要求以低成本实现更低功耗、更丰富的功能和更小的封装。Microchip经扩展的MOSFET驱动器系列可以满足这些需求。集成双MOSFET驱动器的全新MCP14E6/7/8器件的额定峰值输出电流为2A,而双驱动器的全新MCP14E9/10/11器件的峰值输出电流为3A。