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为了在嵌入式系统设计中实现对SDRAM存储器的访问，本文提出了一种基于AMBA-AHB总线规范的SDRAM控制器设计方案。
本文以三星公司的SDRAM器件K4S561632C[4]为例来是说明SDRAM的工作原理。
Exar公司近日发布一款支持DDR 3 SDRAM标准 (SSTL-15) 的SDRAM内存总线终端稳压器。
近日，新汉基于第三代Intel Core处理器家族的COM Express Type 6核心模块ICES 667正式亮相。搭配移动式Intel QM77 Express芯片组，可支持从双核的赛扬B810到四核心的i7-3610QE等多种插槽式处理器，且最高支持16GB DDR3 1333/1600MHz SDRAM。
新思科技公司(Synopsys， Inc)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内核中就实现对DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DDR解决方案使设计师能够在相同的系统级芯片(SoC)中，实现与高性能或者低功耗SDRAM的连接，它已经成为诸如用于智能手机和平板电脑的应
新思科技公司(Synopsys， Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内核中就实现对DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DDR解决方案使设计师能够在相同的系统级芯片(SoC)中，实现与高性能或者低功耗SDRAM的连接，它已
采用A3P125和SDRAM该方案采用A3P125和SDRAM的方式实现，由于A3125资源较为丰富，除了可以实现高分辨率的显示以外，还可以实现多图层的功能，功能上高于上述的方案。
双倍数据速率内存(DDR)和DDR同步动态随机存储器(SDRAM)在很多计算和嵌入式应用中非常流行。该技术最初由美国电子器件工程联合委员会(JEDEC)发起，从上世纪90年代末的DDR内存规格逐步发展，并在2000年到2003年间陆续发布多个版本，最终形成DDR1和DDR SDRAM。
许多市场领域(包括视频广播、军事、医学影像、基站)都得益于使用高密度FIFO器件方案的使用，其具有可编程的特点。并且比SDRAM + FPGA的体系结构可以显著节省成本和改进视频质量，使用系统级编程，可以使高密度FIFO设计更简单，成本更低。
