SiC二极管,即碳化硅二极管,是一种利用碳化硅(SiC)材料制成的半导体器件。它结合了碳化硅材料的高硬度、高热导率、高电子饱和迁移率以及宽禁带等特性,为电力电子应用带来了显著的性能提升。 SiC二极管的主要优势体现在其高功率密度、高效率、高温工作能力以及快速开关速度等方面。具体来说,SiC二极管能够在高温环境下稳定工作,且具有较高的击穿电压和较低的导通电阻,这使得它在高功率应用中具有出色的性能表现。此外,SiC二极管的快速开关速度有助于减少能量损失,提高系统的整体效率。
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英飞凌推出市场首款2000V分立式SiC二极管,以TO-247-2封装和.XT互联技术提升1500V系统效率;圣邦微电子发布新款电池充电控制器,具备功率监控和SMBus功能;先楫半导体则带来600MHz RISC-V双核MCU HPM6P81,拥有32路高分辨率PWM和4×16位ADC。
在铁道业界的全球最大展会“InnoTrans 2012”(2012年9月18~23日,德国柏林)上,日立制作所、三菱电机及东芝三家公司都展出了使用SiC二极管的铁道车辆用逆变器。这些产品向全球铁道车辆厂商及铁道运营企业宣传的卖点是,通过采用SiC二极管,实现了功耗的降低以及冷却机构的简化。
Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories签署代表其在欧洲以外市场销售创新的碳化硅(SiC)二极管和JFET系列产品的协议。SemiSouth的SiC二极管和JFET可以为太阳能逆变器、电机驱动、电信整流器、UPS、三相逆变器和电动汽车等高功率应用带来显著的效率和耐久性优势。