SiC半导体材料，即碳化硅半导体材料，是一种具有宽禁带特性的新兴半导体材料。其禁带宽度大于2.3eV，使得它在高温、高压和高频等极端条件下具有优异的工作稳定性。SiC半导体材料主要由碳（C）原子和硅（Si）原子组成，具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好、硬度大等特性。 SiC半导体器件，如功率二极管和功率开关管，具有高频、高效、高温的特性，特别适合对效率或温度要求严苛的应用。与前两代半导体材料相比，SiC制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与高功
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