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先进的SiC工艺和超薄晶圆是英飞凌提升功率器件效率的两条途径，至于大家谈论较多的GaN工艺，Mittal表示，英飞凌会保持研发与跟踪，也提供小批量生产，但是基于目前的成本太高，还不适合于大规模量产。英飞凌会持续对以上两个工艺进行投资，推动功率器件的创新。

SiC工艺超薄晶圆英飞凌功率器件

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