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2016 年 9 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将多个VishaySiliconix模拟开关产品升级到了新工艺，大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅技术，全面提高器件的性能参数，并且保证未来有很好的使用寿命。Vishay的模拟开关和复用器产品线始于二十世纪60年代，这次工艺
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Silicon
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 3 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真的温度曲线，功能强大的最新版本ThermaSim引入了很多关键特性，比如裸片温度对功率耗散的时
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix Powe
Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012年11月19日 – Mouser Electronics， Inc.正在备货Vishay Siliconix的第一款MOSFET产品，其额定导通电阻低至1.2V并采用了业界最小尺寸的芯片级封装。
