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前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MO
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Silicon
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。
Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012年11月19日 – Mouser Electronics， Inc.正在备货Vishay Siliconix的第一款MOSFET产品，其额定导通电阻低至1.2V并采用了业界最小尺寸的芯片级封装。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5
