忆阻器取得重大突破 或许可取代硅晶体管
记忆电阻器可以进行逻辑运算
惠普公司（HP）工程师8日公布研发忆阻器（memristor）组件设计的进展。这项组件可能在数年后取代传统内存，更被视为下个世代运算芯片组件。科学家认为，公众将在3年内看到忆阻器电路，其或许可取代目前似乎已经处于“穷途末路”的硅晶体管，最终改变整个电脑行业。
忆阻器为内存电阻器的简称，是1971年由加州柏克莱大学电机工程教授蔡少棠提出的假说，但直到2008年才在惠普实验室制作成原型。
忆阻器最受期待的特点，是能利用比传统晶体管更少的空间储存相同数据。这项特点至为重要，因为专家相信闪存等传统晶体管芯片，最终将无法再藉由缩小体积提升储存能力。
惠普实验室工程师威廉斯（Stan Williams）表示，研发忆阻器的两年来，他的团队将忆阻器的交换速率提升到现今传统硅晶体的速率，且测试后证实忆阻器能稳定执行数十万次读写。
威廉斯说，惠普可能在三年后生产出能与闪存竞争的产品，将能在1平方公分的面积上储存20GB（千兆位组）。目前晶体管制程是30至40奈米，但威廉斯说惠普正在研发3奈米忆阻器，且能在约十亿分之一秒（ns）内交换一个周期，相当于目前先进内存的速度。
惠普的技术原理是在一层二氧化钛超薄膜上，利用电流移动原子。当一个原子移动后，即使仅移动一奈米，也会改变薄膜的电阻。电阻改变在电流消失后仍会持续，这项特性也使忆阻器成为超低耗能装置的可能材料。
关于忆阻器的讨论都聚焦于数据的储存，但惠普在自然期刊的一篇科技论文中，谈到利用忆阻器执行芯片所进行的重要任务，例如计算机执行运算所需的交换功能。
目前数据储存与逻辑演算始终都由不同的组件执行。一个微$处理器$芯片必须从内存芯片抓取数据，对数据进行数学运算，再将结果送回给内存芯片。这些工作有时是由单一芯片完成，但数据仍需在芯片上不同部分、不同的晶体管间传递。
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