Vishay新款SkyFET®单片功率MOSFET和肖特基二极管的导通电阻创业界最低纪录
器件采用第三代TrenchFET®技术和SO-8封装，导通电阻低至3mΩ
宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未有的最低导通电阻，在10V和4.5V栅极驱动电压下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降压转换器中的低压侧功率MOSFET，降压转换器可用于笔记本电脑的内核电压和VRM应用、图形卡、负载点功率转换，以及计算机和服务器当中的同步整流。品质因数(FOM)是导通电阻与栅电荷的乘积，是这些应用的关键性能指标，与采用SO-8封装的最接近器件相比，该器件在10V和4.5V栅极驱动下的FOM分别小26%和34%。
Si4628DY可改善用主电网供电的服务器或电池供电的笔记本电脑在轻负载条件下的功率转换效率。在轻负载条件下，功率转换器中的MOSFET是关闭的，电流通过肖特基二极管进行传输。由于肖特基二极管与MOSFET集成在一起，其前向电压降要远低于MOSFET内部体二极管上的电压降。因此，当降压转换器中的MOSFET在死区时间内被关断时，该特性能够大大减少功率损耗。
肖特基二极管的反向恢复电荷(QRP)比MOSFET体二极管的QRP要低，因此能够进一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技术使器件的QRP比标准MOSFET体二极管减少了几乎75%，可以提高轻负载条件下的转换效率。
最后，将肖特基二极管集成进MOSFET硅片可消除寄生电感。如果是以分立器件的形式将肖特基二极管和MOSFET安装到PCB板上，或是把分立的MOSFET和肖特基二极管封装在一起，均会引入寄生电感。
这些特性所带来的效率改善，能够直接降低能量消耗，降低服务器集群等设施的电费开支，延长膝上计算机在两次充电之间的电池寿命。
Si4628DY现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
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