飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS™
2009-08-26 16:12:02
来源：Semiconductor Components Application
可让电源满足能源之星规范中对台式电脑的80 PLUS金(Gold) 级别和
对服务器的白金(Platinum)级别的要求
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS新一代600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS系列器件兼具低RDS (ON) 和低总栅极电荷，相比飞兆半导体的600V SuperFET MOSFET，品质因数(Figure of Merit， FOM，即 RDS (ON) × Qgd )降低了40%。SupreMOS器件具有业界最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt，可以提高开关电源(SMPS)中谐振转换器、LLC和移相(phase-shifted)全桥拓扑的可靠性。
相比SuperFET MOSFET器件，SupreMOS600V超级结MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的栅级电荷，并且具有出色的开关性能，能够将开关和传导损耗减少20%，从而提高效率。另外，SupreMOS器件具有较低的输入和输出电容，能够提高轻负载条件下的效率。这些特性可让电源满足能源之星规范中适用于台式电脑的80 PLUS 金(Gold) 级别和用于服务器的白金(Platinum)级别的要求。
SupreMOS器件是飞兆半导体全面之MOSFET产品系列的一部分，为设计人员带来宽阔的击穿电压范围(-500V 至1000V)、先进封装和业界领先的品质因数(FOM)，为各种电能转换环境提供所需的高效功率管理功能。
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