Vishay Siliconix推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%
该器件在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%，在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%、TrenchFET® Gen III P沟道技术在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元
宾夕法尼亚MALVERN — 2009年9月10日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET --- SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET® Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。该项前沿技术可实现极其精细、亚微米线宽工艺，将目前业界P沟道MOSFET的最低导通电阻减小了将近一半。
随着这种新器件的发布，采用四种表面贴装封装类型的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET现已供货，其中包括耐热增强型PowerPAK® SO-8封装，它可在SO-8占位面积中实现低至1.9m的业界最低的导通电阻。SiB457EDK采用PowerPAK ®SC-75封装，是该系列中是迄今最小的器件，在1.6mm×1.6mm占位面积中实现了业界最低的导通电阻。其RDS(on)值从4.5V的35m到1.5V的130m。与具有相同额定电压的最接近的P沟道器件相比，这些新的SiB457EDK在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%，在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%。
TrenchFET Gen III P沟道MOSFET有助于在各种应用中节约能源，如笔记本电脑和工业/通用系统中的适配器和负载开关，以及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备的充电电路中的负载开关。每平方英寸装入十亿个单元的工艺实现了低导通电阻，这项重大技术突破意味着更低的传导损耗、节省功耗和延长两次充电之间的电池寿命。下表总结了目前发布的TrenchFET Gen III P沟道器件的主要规格。
SiB457EDK规定了四个栅极至源极电压条件下的导通电阻额定值，包括使设计以较小的输入电压实现较高的安全裕量的1.5V额定值。同时，其紧凑的PowerPAK SC-75封装可减少电源电路所需的空间，为其他产品功能或实现更小的最终产品开辟了空间。SiB457EDK还采用了2500V典型ESD保护，可减少现场故障，同时具有在VGS = 8V条件下仅为5μA的低漏电流。
P沟道TrenchFET Gen III功率MOSFET系列为无卤素产品，符合IEC 61249-2-21、RoHS指令2002/95/EC，以及100%的Rg测试要求。关于该系列的进一步资料可浏览http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新型SiB457EDK TrenchFET功率MOSFET已提供样品，并已实现量产，大宗订单的交货时间为10至12周。
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