安森美半导体推出符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC
NCV840x系列器件采用 SOT-223、DPAK及SOIC8封装，在严格的汽车及工业应用环境中提供强固及可靠的驱动功能
2009年12月15日 – 首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的工作，这些器件全都有丰富的自保护特性，包括限温及限流、静电放电(ESD)保护，以及用于过压保护(OVP)的集成漏极至栅极钳位。
安森美半导体汽车电源产品总监Jim Alvenaz说：“汽车中的电子成分持续增加，需要提供能帮助减少元器件数量及节省珍贵电路板空间的半导体方案。安森美半导体的NCV840x系列帮助设计人员达到这些目的，提供强固的系统设计足以配合汽车严峻的应用环境。”
特性及优势
NCV840x驱动器能用于多种电阻型、电感型及电容型负载的开关，使设计人员能够以更紧凑、更强固及工作寿命更长的另一选择，替代机电式继电器或分立电路。所有这些器件都提供逻辑电平输入。
NCV8401、NCV8402D及NCV8403的额定漏极至源极电压(VDSS)为42伏特(V)，最大漏极电流(ID)分别为33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS为40 V，最大额定ID为6 A。所有这些器件的栅极至源极电压(VGS)为±14 V。
这新系列的所有器件均提供低导通阻抗(RDS(ON))值，帮助实现更高能效的系统设计。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分别为23毫欧(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。
这些器件都提供40 °C至150 °C的宽工作温度范围及高静电抑制等级(25°C结温时为4，000 V)。当VGS为5 V及10 V时，关闭温度限制分别设定在175C及165C。
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