安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案
2010-02-04 09:20:05
来源：大比特半导体器件网
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值， 能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件，符合RoHS指令，关键的规范特性包括：
导通阻抗(RDS(on))低至13毫欧(mΩ)
电流能力高达76安培(A)
经过100%雪崩测试
通过AEC-Q101标准认证
安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰，以及推动更高能效，安森美半导体的N沟道功率MOSFET提供强固及可靠的方案。我们100 V产品系列新增的器件为客户提供更多的选择，帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。”
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