恩智浦扩充Trench 6 MOSFET产品线 推出Power SO-8LFPAK封装60 V和100 V新器件
2010-02-07 19:27:09
来源：大比特半导体器件网
中国上海，2010年02月05日讯——LINK21>恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。
LFPAK是一种“真正”意义上的功率封装，通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的Power-SO8封装形式，在极端恶劣的工作条件下仍具有出色的耐受性和可靠性。
产品主要特点：
· 3.6 mΩ（典型值），60 V，Power-SO8封装(PSMN5R5-60YS)
· 10.0 mΩ（典型值），100 V，Power-SO8封装(PSMN012-100YS)
· 全球首款电阻小于1 mΩ，25V，Power SO8封装MOSFET开关型应用器件
· Power-SO8器件最高工作温度：175 °C
· 符合汽车电子器件AEC - Q101标准的Power-SO8封装
· LFPAK封装最大额定电流：ID(MAX)＝100A
· 支持目视检测设备检测（很多其他Power-SO8产品需要X光检测）
· 突波耐受
· 符合RoHS规定，无卤封装
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