英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议
2010-04-27 09:54:10
来源：大比特半导体器件网
2010年4月26日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布，两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 （Power33）封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称MOSFET、双MOSFET和单MOSFET。
英飞凌低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示：“我们的客户将从功率产品封装标准化中获益，因为我们减少了市场上‘独特’封装的数量，同时还能提供比上代产品外形更小但性能提升的解决方案。”
飞兆半导体低压产品高级副总裁John Bendel指出，：“飞兆半导体和英飞凌实现了封装引脚的标准化，并在性能水平方面相辅相成，为满足客户在计算、电信和服务器市场的高效设计需求提供了双重来源。封装标准化旨在为客户提供采用多来源行业标准封装的性能领先产品。”
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