英特尔因双重图形微影技术被告侵权
美国新墨西哥大学(University of New Mexico，UNM)的技术授权部门UNM.STC，日前向美国联邦法院控告英特尔(Intel)侵犯该校所持有的双重图形微影(double patterning lithography)技术专利。在6月份时UNM.STC也曾以相同的名义，向美国国际贸易委员会(ITC)控告台积电(TSMC)与三星电子(Samsung Electronics)。
但STC总裁兼执行官Lisa Kuuttila表示，在台积电与三星同意取得技术授权后，该机构已经撤回告诉；而根据STC说法，瑞萨电子(Renesas Electrinics)、海力士半导体(Hynix)与东芝(Toshiba)也有支付授权费用以使用上述技术。不过Kuuttila不愿透露技术授权协议的细节，以及权利金的内容；在被问到STC是否还打算针对其他使用双重图形微影的半导体公司采取类似的法律行动时，她也拒绝提到任何厂商名称。
“我想较恰当的说法是，大学认为，如果有公司使用该双重图形微影技术，应该以正当程序取得协议并支付合理授权费，而这对产业界来说也是非常重要的。”Kuuttila表示，UNM希望能因为其诉讼行动，让全球各大芯片制造商成为其正式授权名单中的成员：“如果英特尔成为我们的授权对象，对我们是一大激励。”
由于半导体制程节点进入32纳米节点，为了补偿线宽微缩与影像模糊的问题，芯片制造商开始采用双重图形技术；该技术有许多不同的种类，但并不清楚UNM所持有的双重图形微影技术专利，是否涵盖目前所有的双重图形技术。UNM是在2000年取得双重图形技术专利，技术开发者包括该校的多位研究人员。
UNM所取得的美国专利号码(U.S. Patent No.)为6.042.998，标题是“扩展微影图像空间频率的方法与仪器(Method and Apparatus for Extending Spatial Frequencies in Photolithography Images)”，技术开发者包括该校电子与计算机工程系知名教授Steven R. J. Brueck，他同时任教物理与天文系，并担任该校高科技材料研究中心总监。
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