质，于是在板的左表面产生反射，使一部分电磁波Hor(或Eor)向左传播，即反射波。另一部分电磁波射入金属内部，其场强为Hmo(或Emo )，向右继续传播，经过金属板厚度t后，由于金属对电磁波的吸收，场强减弱至Hmt(或Emt)。

到达金属板右界面的电磁波，又有一部分被反射回金属向左传播，其反射场强为Hmr(或Emr);另一部分穿过右界面向右继续传播。其场强为Ht(或 Et)。因此，电磁波经过金属板时，通过反射、吸收，场强逐渐减弱。故金属板的屏蔽作用是左界面的反射、金属中的吸收和右界面的反射等三部分组成的。实际上，上述金属板内的电磁波反射吸收过程并不是只进行一次就完成的，而是在金属板的两个界面之间往复多次直到耗尽。电磁波在金属内的损耗表现为涡流损耗。涡流的密度随着透入金属内部的深度的增加而按指数规律减小，且随电磁波的频率不同而变，频率愈高，涡流在表面的损耗就愈大。

3.2　影响屏蔽效果的几个因素及其解决措施

3.2.1　材料

当电磁波通过金属板时，由于金属板产生感应涡流形成欧姆损耗，并转变为热能损耗，与此同时，涡流反磁场抵消入射波干扰场产生吸收损耗。用于电场屏蔽的屏蔽效能可由下式表示:

由以上公式可以看出，金属的导电、导磁能力越强，金属吸收电磁波能力越强;电磁波的频率越高，越易被金属吸收。下面给出了常见金属的相对磁导率、相对电导率(见表1)。

因此，在选择屏蔽材料时，综合其他因素应遵循以下原则:

1)当干扰电磁场的频率较高时，利用低电阻率的金属材料中产生的涡流。形成对外来电磁波的抵消作用，从而达到屏蔽的效果。

2)当干扰电磁场的频率较低时，要采用高导磁率的材

料，从而使磁力线限制在屏蔽体内部，防止扩散到屏蔽的空间去。

3.2.2　缝隙、孔洞

屏蔽体的屏蔽效能不仅取决于构成屏蔽体的材料，而且取决于屏蔽体的结构。上面讨论的是完整连续屏蔽体。但现实中一个完全封闭的屏蔽体是没有任何价值的。机箱或壳体上常开有很多显示窗、通风口、不同部分结合的缝隙等。

由于这些导致电不连续的因素存在，屏蔽体的屏蔽效能往往很低，甚至没有屏蔽效能;因此对屏蔽体缝隙、孔洞的研究也是十分必要的。

从缝隙中泄漏的电磁场强度的计算公式为:

1)对于有孔缝的机箱，应将孔缝尽量布置于远离激励源的地方。

2)增加接缝处的重叠尺寸，由上述公式(2)可见。

3)缩短螺钉的间距。在结合面上不加导电弹性衬垫时，应尽可能增加螺钉数量，减小螺钉间距，使缝隙长度响应减小，使屏蔽效能提高。

4)开孔设计

当开孔面积相同时，应尽量少开大孔以及细长孔。对于可集中、又可分开开孔的机箱，应分别开孔，以减少泄漏量。

5)加接金属导管

一般来说，对大的孔洞，在实际设计中常采用金属通风道，当频率高于100MHz时，可采用波导管作为通风道。由于金属管相当于一个高通滤波器，使低于金属管截止效率的电磁场经过管内传递有很大的衰减，所以就减小了孔洞引起的泄漏。金属管的最低截止频率f只与管的横向截面的内径尺寸有关，其关系可由下列公式表示:

圆波导管:fc=17.5/d

矩形波导管:fc=15/b

式中:fc———最低截止频率，Hz;

d———圆波导管内直径，cm;

b———矩形波导管内宽边长，cm。

在设计金属管时，首先，根据泄漏电磁场的最高频率f来确定fc，使fc≥f;其次，按需要选圆管或方管，由上式计算管的横截面的内径尺寸;第三，根据需求的衰减计算管应有的长度。

在屏蔽设计中，还要注意，不能有导体直接穿过屏蔽体，屏蔽效能再高的屏蔽体，一旦有导线直接穿过屏蔽机箱，其屏蔽效能就会损失99.9%(60dB)以上。

屏蔽只是减少电子设备电磁干扰的一种方法，它通常与滤波、接地、搭接等措施一起应用，从根本上解决电子设备的电磁兼容问题。

4　结束语

当前，电子设备已处于飞速发展的时期，并且这个发展过程仍以日益增长的速度持续着，随着电子技术的迅速发展，现代的电子设备己广泛地应用于人类生活的各个领域。