一种新的氮化镓生长工艺有望制造出更高亮度的LED
2011-02-10 15:02:20
来源：半导体器件应用网
美国北卡罗来纳州立大学（NCSU）的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺，据称和现有工艺比较，这一新工艺有望把材料的缺陷减低千分之一，从而使得那些基于氮化镓的LED发光二极管、功率器件等的输出能力增加一倍。
NCSU的电子电气工程教授 Salah Bedair 和材料学教授Nadia El-Masry 有意在氮化镓层和蓝宝石衬底的界面上引进了一项空穴，结果他们发现，原先固有的材料缺陷被那些空穴给吸收掉了，从而提高了氮化镓层的纯度。
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