LTE发展需要克服芯片、频率、内容三大短板
2011-03-23 10:38:24
来源：大比特半导体器件网
摘要： 邬贺铨认为，LTE终端需要的是28-32nm的芯片，而目前最先进的芯片技术进到45nm。因此，芯片技术的发展进程将在一定程度上制约LTE的商用。“摩尔定律已经打破，可以预计未来十年内将有新的芯片技术出现。”邬贺铨表示。
关键字： LTE， 芯片， 频率， 内容， 手持终端， 32nm， 500MHz
在22日举行的“2011年ICT深度观察大型报告会”上，中国工程院院士邬贺铨指出，LTE发展还需克服三大短板，即芯片、频率和内容。
尽管目前全球LTE发展迅速，2010年全球LTE商用网络已达16个，但是目前支持LTE的手持终端产品依然有限。邬贺铨认为，LTE终端需要的是28-32nm的芯片，而目前最先进的芯片技术进到45nm。因此，芯片技术的发展进程将在一定程度上制约LTE的商用。“摩尔定律已经打破，可以预计未来十年内将有新的芯片技术出现。”邬贺铨表示。
频谱资源的紧张是制约LTE商用的另一个主要因素。目前美国已经将500MHz的频率资源分配给LTE，充分支持LTE的发展，而在国内，目前频谱缺口还明显存在。
最后，邬贺铨指出，目前LTE除了高速上网外，还没能提供更多令用户增值的业务，需要业内继续探索。而对于目前比较热门的3D手机和增强现实业务，邬贺铨比较看好增强现实。增强现实(AR)，也被称之为混合现实。它通过电脑技术，将虚拟的信息应用到真实世界，真实的环境和虚拟的物体实时地叠加到了同一个画面或空间同时存在，将是未来手机应用的一个主要方向。
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