安森美半导体180 nm工艺技术嵌入Sidense的1T-OTP存储器
摘要: 领先的逻辑非易失性存储器(LNVM)一次性可编程(OTP)存储器知识产权(IP)内核开发商Sidense与应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商宣布,Sidence已将其180纳米(nm) OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体的180 nm数字及混合信号技术平台ONC18。
领先的逻辑非易失性存储器(LNVM)一次性可编程(OTP)存储器知识产权(IP)内核开发商Sidense与应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)宣布,Sidence已将其180纳米(nm) OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体的180 nm数字及混合信号技术平台ONC18。
此特许协议将使SLP宏模块能够用于安森美半导体的专用标准产品(ASSP),以及那些期望安森美半导体制造的专用集成电路(ASIC)产品中包含OTP IP的客户。此外,Sidence也将能够服务他们公司期望使用SLP宏模块及安森美半导体晶圆代工服务的客户。单个SLP宏模块的密度范围最高达250 Kb。
安森美半导体数字及混合信号产品部高级副总裁Bob Klosterboer说:“随着我们的产品中内嵌Sidence安全可靠的OTP宏模块,安森美半导体在为客户提供涵盖多种应用的前沿硅产品方面,比竞争对手多了一项新增优势。我们选择Sidense的OTP IP,既是因为它功耗低、占位面积小,也因为它不用我们更改或增添标准工艺流程。”
Sidence总裁兼首席执行官(CEO) Xerxes Wania说:“我们非常高兴与安森美半导体这样的业界领袖合作。此次协作将为安森美半导体添加又一珍贵IP资源,用于期望使用Sidence OTP以获得安全可靠及高性价比存储器的安森美半导体客户,还使Sidense能够服务我们那些期望使用安森美半导体晶圆代工资源的客户。”
关于SLP
SLP是Sidence SiPROM产品系列的尺寸更小、功耗更低的版本,最大宏模块尺寸为256 Kb。SLP宏模块最初采用180 nm工艺技术制造,针对手持通信设备、芯片及产品识别(ID)、模拟微调和校准以及代码存储等关注成本及功耗的应用。
关于Sidense
Sidense公司提供安全、极高密度及可靠的非易失性一次性可编程(OTP)存储器IP,用于标准逻辑CMOS工艺,不要求额外掩膜或工艺步骤、对产品良率没有影响。公司创新的单晶体管1TFuse架构提供业界占位面积最小、最可靠及最低功耗的逻辑非易失性存储器(NVM) IP方案。Sidense OTP拥有70多项获批或待批专利,在众多OTP及多次可编程(MTP)应用中为闪存、掩膜ROM及eFuse提供了现场可编程方案的又一选择。
超过150项客户设计中嵌入了Sidense的 SiPROM、SLP及ULP存储器产品。这些产品支持从180 nm到40 nm工艺,还可调整至支持28 nm或更小。所有顶级半导体代工厂商及一些卓越集成器件制造商(IDM)均提供并已采用这些IP。客户将Sidense的OTP用于模拟微调,代码存储,高带宽数字内容保护(HDCP)、无线家庭数字接口(WHDI)、射频识别(RFID)及芯片识别(Chip ID)等加密密钥,医疗,汽车及可配置处理器和逻辑。
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