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ST推出具快速写入功能的存储器产品

2011-07-12 11:48:15 来源:网络

摘要:  通过M35B32 EEPROM芯片,系统能够在1毫秒内完成大量关键信息 (2Kbits)的储存 ,当检测到系统故障或事故时可立即做出反应。如果发生断电等意外情况,在电源电压降至最低额定电压前,这款超快速数据存储器可以保存系统恢复所需的信息。

关键字:  电子设备,  存储器,  电表,  智能电网

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及电子设备EEPROM存储器供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出新款存储器产品,拥有在紧急情况发生时储存重要数据的快速数据记录功能。新产品主要用于突然断电的系统数据恢复以及发现设备故障或事故原因的黑匣子记录器等应用。

通过M35B32 EEPROM芯片,系统能够在1毫秒内完成大量关键信息 (2Kbits)的储存 ,当检测到系统故障或事故时可立即做出反应。如果发生断电等意外情况,在电源电压降至最低额定电压前,这款超快速数据存储器可以保存系统恢复所需的信息。

这款高速存储器的主要目标应用包括游戏机、电池供电设备、电表智能电网设备、工业系统以及医疗设备。相较于市场上的同类非易失性存储器,M35B32的写入速度约为标准32-Kbit EEPROM的40倍,可媲美闪存的写入速度。意法半导体全新的存储器产品的功耗约为闪存的十分之一,当系统电源意外失效时,设计人员只需使用一个正常尺寸十分之一的后备电源电容器即可完成写入操作,从而大幅度节省材料成本和电路板空间。相较于高速FRAM技术,M35B32的EEPROM技术更具成本与品质优势。

M35B32拥有32-Kbit的存储容量, 分为事件记录和正常系统EEPROM两个存储区。这两个存储区可让用户按照不同的应用要求调整存储空间。256 bytes的大容量存储页准许一次写入大量数据,当向事件记录区寻址时,信息写入时间小于1毫秒,这个特性可提升系统性能,并节省软件开销。M35B32内置标准SPI串行接口,可直接替代标准SPI串口存储器。

M35B32已投入量产,采用SO8N、TSSOP8和FPN 2 x 3mm微型贴装。汽车质量级产品将于2012年初推出,新产品将简化汽车系统如ABS的设计。

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