摘要：  英飞凌以提供适用于汽车(AEC Q101)的品质优异的小信号MOSFET而闻名于世。现在，新推出的60V逻辑电平OptiMOS“606”家族，进一步丰富了这个产品组合。这种60毫欧姆逻辑电平器件，具备出类拔萃的单位面积RDSon，并且具有很低的Qg，可以实现更好的轻载效率。这种产品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封装，特别适于强调节省空间、降低功耗的应用。

关键字：  功率半导体，  电源转换，  电子设备，  机器

国际能源机构(IEA)预计，今后20年，全球能耗将增加35%以上。以电力形式消耗的能源，占全球总能耗的三分之一左右。电力一般要经过远距离输送，这个过程往往会损耗大量电力。巧妙地利用功率半导体，能够最大限度地降低发电、输配电和电源转换等环节的电力损耗，从而消除这种能源损失。巧妙利用功率半导体还可以大大提高电子设备和机器的能效，以确保最大限度地节省能源。随着全球人口数量不断增长，节能的重要性日益凸显。从某种意义上讲，提高能效也是最大的能源来源之一。英飞凌通过提供IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、CoolMOS、OptiMOS和碳化硅等产品，为降低全球能耗做出了巨大贡献。

英飞凌科技奥地利有限公司副总裁兼电源管理和分立器件业务部总经理Andreas Urschitz表示：“利用英飞凌节能半导体解决方案，最多可将全球总能耗降低25%。我们的产品的节能效果甚至超过了国际能效标准，因而能为我们的客户带来明显的竞争优势。由于采用CoolMOS芯片，服务器主板所需的功率下降了30%。假设全球有6，000万左右的服务器，那么总共节省的能源将达到18亿瓦特，这相当于一个核电站的输出。台湾高雄足球场的太阳能发电系统就是采用我们CoolMOS技术的很成功例子。太阳能逆变器选用CoolMOS芯片，可确保最高的能效。该太阳能发电站的年发电量可达110万千瓦小时，并年均减少约660吨的碳排放。”

图：英飞凌电源管理产品帮助全球降低能耗。

英飞凌的逆导型(RC)600V IGBT家族增添两名新成员。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT，可以设计出更高能效的电机驱动家用电器，它们使用尺寸更小的元件，因此成本比同类系统更低。

英飞凌全新的650V CoolMOS CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的换流功能，从而降低了电磁干扰(EMI)，可将诸如服务器、太阳能设备、电信机房开关电源和照明装置等设备的能效提升至新的高度。

英飞凌新推出的60V至150V CanPAK，进一步完善了其OptiMOS功率MOSFET产品阵容。利用该产品，电源系统工程师可以优化设计，实现更高能效和卓越的散热性能，同时最大限度地缩小占板空间。较之于标准分立式封装，CanPAK金属“罐”结构有助于实现双面散热，并且几乎不会产生封装寄生电感。CanPAK的优势与OptiMOS家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS产品可在整个电压范围内实现行业最低的RDS(on)和Qg。对于诸如面向电信应用的隔离式DC-DC电源转换器，以及太阳能微型逆变器和太阳能系统中使用的MPP追踪器等快速开关应用而言，很低的栅极电荷(Qg)意味着最低的开关损耗。而对于诸如电机控制等高电流应用场合，英飞凌CanPAK产品具备业界最低的RDS(on)，可以实现最低的功率损耗。

随着时间的推移，英飞凌推出的第二代碳化硅肖特基二极管，已经成为不成文的行业标准。现在，英飞凌进一步推出了采用新的TO-247HC(长爬电距离)封装的1200V碳化硅二极管。这种新的封装完全兼容行业标准TO-247，因而可轻松用于现有的设计，而无需付出额外的努力。更长爬电距离，可提高系统安全性，有效防止系统内部的灰尘或污垢导致的短路，特别是电弧。这样，就不需要使用额外的化学(硅胶或硅霜)或机械(护套或箔)手段来避免封装引线之间存在任何污染，从而充分发挥快速的精益生产工艺的所有优势。碳化硅肖特基二极管thinQ系列的目标应用包括太阳能系统、UPS、SMPS和电机逆变器等，可全面满足客户不断提高能效和功率密度的需求。

英飞凌以提供适用于汽车(AEC Q101)的品质优异的小信号MOSFET而闻名于世。现在，新推出的60V逻辑电平OptiMOS“606”家族，进一步丰富了这个产品组合。这种60毫欧姆逻辑电平器件，具备出类拔萃的单位面积RDSon，并且具有很低的Qg，可以实现更好的轻载效率。这种产品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封装，特别适于强调节省空间、降低功耗的应用。目标应用包括，作为低功率DC/DC电源转换器的外接FET、在用于电动汽车、混合动力汽车和外充电式混合动力汽车的电池能量控制模块(BECM)中发挥平衡作用，以及用作多种微控制器的外接FET。