摘要：  NVIDIA全球核心战略合作伙伴映众(Inno3D)在中文微博上曝光了一款采用DirectFETMOSFET的GTX560Ti显卡!与我们平时常见的三脚MOSFET，八脚MOSFET不同，这种新型的DirectFET由国际整流器(IR)公司推出一种的全新封装技术，其完全颠覆传统MOSFET的封装形式，并没有采用其它封装形式常用的塑封壳，而是采用铜金属外壳覆盖。

关键字：  国际整流器，  封装技术，  MOS管

近日，NVIDIA全球核心战略合作伙伴映众(Inno3D)在中文微博上曝光了一款采用DirectFETMOSFET的GTX560Ti显卡!与我们平时常见的三脚MOSFET，八脚MOSFET不同，这种新型的DirectFET由国际整流器(IR)公司推出一种的全新封装技术，其完全颠覆传统MOSFET的封装形式，并没有采用其它封装形式常用的塑封壳，而是采用铜金属外壳覆盖。据厂商表示，这种DirectFET封装的MOS管不仅转换效率更高，同时发热量更低，散热性能更强，特别有助于提升显卡的超频性能。

从图片中可以看到，DirectFETMOSFET采用的是一上一下的设计，而非传统MOSFET一上两下的布局。DirectFETMOSFET的体积相当小，与其它MOSFET相比，采用DirectFET封装的MOSFET没有引脚，DirectFET封装采用直接芯片粘贴，没有线压焊或者引线框，大大降低了封装感抗和封装阻抗。与SO-8相比，封装阻抗减少了90%以上，而封装电感也从SO-8时候的2nH减到了0.5nH，寄生效应明显减弱，这都为减少损耗提供了重要保证。

DirectFETMOSFET内部结构有异于传统的MOSFET。其漏极裸露的铜片通过两边的焊盘和PCB连接在一起，和PCB有很大的接触面积，利于传导电流。同时由于DirectFET外壳全部采用铜片，没有传统的塑料外壳，底部依然可以透过PCB散热，而顶部由于表层良好的空气流通性可以快速散热，实现双面冷却效果。

采用DirectFET封装的MOSFET，与硅片串接的阻性构件只有漏极夹片，裸片黏合材料阻抗仅为100微欧姆，使源漏极间的导通电阻小于2毫欧姆。相比之下，采用焊线连接的MOSFET的导通电阻要大很多，因此传统MOSFET产生的热量也要更大一些。

除此之外，DirectFETMOSFET在散热方面亦有不俗之表现。传统的MOSFET主要依靠底部或者顶部的金属垫将热量散发出去，但塑封壳包装，整体较厚，塑料的导热性能相对低下，因此主要的热量散发方式还是通过金属垫将热量传到PCB上，透过PCB上的铜箔以及背面的锡条散发出去。而顶部的塑封壳即使加上散热金属片，也受限于塑料外壳较差的导热性，效率比较低。而DirectFET封装由于封装薄，采用全铜外壳的原因，因此热量能够快速地向顶部和底部传导。底部依然可以透过PCB散热，而顶部由于表层良好的空气流通性可以快速散热，实现双面冷却效果，如果顶部加上导热垫和散热片，大量的热量将会通过散热垫和散热片快速地散发出去，散热性能更加出色。

从厂商给出的数据来看，采用DirectFETMOSFET的处理器供电电路转换效率可以达到85.83%，而一般电源方案的效率基本都在80%左右。而温度表现方面，同等条件下DirectFETMOSFET的温度也要比传统的MOSFET低10℃以上。

由曝光的这款映众(Inno3D)GTX560Ti不难看出这还是一张工程样卡。据映众(Inno3D)消息人士透露，由于使用这种DirectFETMOSFET需要重新设计PCB，映众(Inno3D)将在随后的冰系列系列新产品上使用这种高效的DirectFETMOSFET，让我们一起拭目以待吧。