IR推出新系列 40V 至 200V 车用 MOSFET，提供基准导通电阻性能
摘要： 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台上的其它重载应用。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台上的其它重载应用。
全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装，电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧，60V 下最大为2.1 毫欧，75V 下为 2.6 毫欧，100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR 全新车用沟道 MOSFET 系列可在下一代汽车应用，包括集成式起动发电机和电动助力转向系统应用中实现基准性能。”
所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1， 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款 AU 物料单在 5，000 次温度循环时的最大导通电阻变化不到 10%，体现了该物料单的高强度和耐用性。
新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的材料环保，不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
专利和商标
IR® 和 HEXFET® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
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