三星电子社长:半导体明年成长幅度不大

2011-09-30 10:21:20 来源:经济日报 点击:1166

摘要:  三星电子半导体事业暨装置解决方案事业社长权五铉昨(29)日表示,半导体产业能见度低,明年成长幅度「不会太高」,DRAM业更是「非常困难」,仅储存型快闪存储器(NAND Flash)等智能手机或行动应用领域产品具有高成长性。

关键字:  半导体,  存储器,  智能手机

三星电子半导体事业暨装置解决方案事业社长权五铉昨(29)日表示,由于半导体产业能见度低,明年成长幅度「不会太高」,DRAM业更是「非常困难」,仅储存型快闪存储器(NAND Flash)等智能手机或行动应用领域产品具有高成长性。

三星电子昨天来台举办「三星行动解决方案年度论坛」,权五铉在论坛记者会上发表对景气看法。三星电子在半导体业具重量级地位,权五铉近几年每年来台主持三星行动解决方案年度论坛的景气预测,都精准命中,极具参考性。

权五铉也透露三星未来发展方向,将消费性产品朝向智能化、低耗能发展,会继续与国际大厂在零组件等方面合作。过往三星对于并购并不积极,但考量长期发展需要,未来三星不排除启动任何形式的并购。

权五铉认为,欧美等成熟市场经济状况欠佳,增添半导体业景气不确定性,也让产业能见度降低,预期明年半导体成长速度将趋缓,成长性「不会太高」。

在权五铉之前,联电执行长孙世伟、科技市调机构顾能(Gartner)等,也对半导体后市抱持保守看法。

权五铉认为,DRAM产业处境更是「非常困难」,主因个人计算机(PC)市场成长趋缓,DRAM价格何时落底,目前无法预测。相较之下,NAND Flash等智能手机、行动应用领域,则相对具有高成长性。

他指出,三星已开始采用20纳米制程生产DRAM,技术领先同业一至二个世代,短期内先降低PC用DRAM投片量至三成左右,其余七成转做行动、服务器等利基型存储器生产。

他强调,在景气成长放缓的大环境下,技术决定一切,业者营运也有两极化差异。三星降低PC用DRAM投片,不代表放弃PC DRAM市场,未来还是会继续研发新技术,保持领先地位。

由于产业能见度低,三星目前对于明年度资本支出仍未定案,预估要到10、11月拜访完客户,了解实际需求后,才会有初步规划。

他透露,三星明年的投资将锁定竞争优势的行动装置和运算市场为主。

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