摘要：  日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项，扩充了该系列产品。

关键字：  新器件，  转换器，  双芯片，  电流，  二极管

日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。

新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---

采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项，扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用，SiZ910DT适用于20A以上的应用。PowerPAIR 3 x 3的面积大约是PowerPAIR 6 x 5的1/3。

采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品，再加上此前推出的SiZ710DT，使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件，SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。

下表提供了所有五款新器件及SiZ710DT的详细性能规格。有关Vishay的PowerPAIR® MOSFET完整产品组合的信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/powerpair-package/。

器件编号ChVDS (V)VGS (V)RDS(on) at

VGS =Qg at VGS =ID at TA =

10 V

(W)4.5 V

(W)10 V

(nC)4.5 V

(nC)25 °C

(A)70 °C

(A)

不对称双芯片N沟道

PowerPAIR 3 x 3

SiZ300DT130200.0240.0327.43.59.87.8

230200.0110.016514.26.814.911.9

PowerPAIR 6 x 3.7

SiZ710DT120200.00680.00911.56.91615

220200.00330.00433818.23024

SiZ728DT125200.00770.011178.11614.2

225200.00350.004842.520.528.823

SiZ730DT130200.00930.01315.67.712.910.3

230200.00390.00534321.226.421.1

PowerPAIR 6 x 5

SiZ910DT130200.00580.00752612.52217

230200.00300.003560293226

不对称双芯片N沟道外加集成的肖特基二极管

PowerPAIR 6 x 3.7

SiZ790DT130200.00930.01315.67.712.910.3

230200.00470.0059361723.418.7

Vishay Siliconix PowerPAIR® 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内，帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗，器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET® Gen III技术和PowerPAIR®的不对称特点，将低边MOSFET的最大导通电阻降至3m，比同档的不对称器件降低了几乎50%。

PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET，能够简化PCB布线并减少寄生电感，从而帮助降低开关损耗并提高效率。

新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间，这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。