“双芯片” 是一个比较宽泛的概念,它可以指代多种不同的情况,1组合式双芯片(多芯片模块,MCM)定义:将两个或多个不同功能的芯片封装在一个封装体内,芯片之间通过内部的连线或者基板上的线路进行连接,从而实现多种功能的集成。2双核芯片(主要用于处理器领域) 定义:在一个芯片内部集成了两个处理核心,这两个核心可以独立地执行指令流,实现并行处理。例如,英特尔酷睿系列的一些双核处理器,每个核心都有自己的一级缓存和二级缓存,能够同时处理不同的任务或者对同一个任务进行并行计算,从而提高处理器的整体性能。3双芯片备份
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德州仪器创新型可扩展性无线回程解决方案助力满足尧字节时代数据消费需求,·全面集成的 SoC 与配套模拟前端可帮助回程开发人员满足频谱宽度与当前使用协议多元化的需求,其中包括 NLoS、电视空白频谱、LTE 中继回程以及新兴共享频谱频带等;最新 SoC 也支持小型蜂窝 LOS 连接。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项,扩充了该系列产品。
Getman 称当前大多数电子系统都是将一个FPGA和一个独立处理器或者一个带有片上处理器的ASIC在同一个PCB上配合使用。赛灵思的最新产品可支持使用这类双芯片解决方案的公司利用一个Zynq-7000 芯片来构建下一代系统,节省了物料成本和 PCB 空间,并且降低了总体功耗预算。由于处理器和FPGA 在相同的架构上,因此性能也得到了大幅提升。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本,该公司在其网站(http://www.vishay.com)上新增了一个流媒体视频,展示SiZ700DT PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET解决方案。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装,具有10A~30A的电流额定范围。