Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作
2011-12-31 11:13:18
来源：Diodes公司
摘要： Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。
关键字： Diodes公司， DFN1212-3， MOSFET
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。
这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的信号以及负载开关应用，用于包括数码相机、平板电脑和智能手机在内的高便携式消费电子产品。
Diodes公司首次推出的这对MOSFET，额定电压为20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道组件。在VGS为1.8V的情况下，该N通道MOSFET的典型导通电阻为400mΩ，比最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET大约低50%，有助于大幅减少传导损耗和功率耗散。
Diodes之后还会推出采用DFN1212-3封装、额定电压为30V与60V的组件和一系列双极型器件。
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