我国传感器整体水平处于下游状态 创新能力还需加强

2012-02-06 14:32:59 来源:大比特半导体器件网

摘要:  我国的传感器发展相较于欧美发达国家,起步晚,发展水平相对较滞后,但是在最近纪念我过传感器产业得到了极大地提升。全国已经有1600多家企事业单位从事传感器研制、开发、生产。但与国外相比,我国传感器整体水平处于下游状态,缺乏核心技术,尚不能满足国内市场的需求,总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。

关键字:  传感器,  工业控制,  智能化,  仪表元器件

我国的传感器发展相较于欧美发达国家,起步晚,发展水平相对较滞后,但是在最近纪念我过传感器产业得到了极大地提升。全国已经有1600多家企事业单位从事传感器研制、开发、生产。

但与国外相比,我国传感器整体水平处于下游状态,缺乏核心技术,尚不能满足国内市场的需求,总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。

2012年传感器重点在以下几大发展规划:

工业控制、汽车、通讯、环保为重点服务领域,以传感器、弹性元件、光学元件、专用电路为重点对象,发展具有自主知识产权的原创性技术和产品;以MEMS工艺为基础,以集成化、智能化和网络化技术为依托,加强制造工艺和新型传感器和仪表元器件的开发,使主导产品达到和接近国外同类产品的先进水平;以增加品种、提高质量和经济效益为主要目标,加速产业化,使国产传感器的品种占有率达到70%~80%,高档产品达60%以上。

目前还存在以下诸多问题:

(1)科技创新差,核心制造技术严重滞后于国外,拥有自主知识产权的产品少,品种不全,产品技术水平与国外相差15年左右。

(2)投资强度偏低,科研设备和生产工艺装备落后,成果水平低,产品质量差。

(3)科技与生产脱节,影响科研成果的转化,综合实力较低,产业发展后劲不足。

2012年传感器产业发展重点目标

(1)MEMS工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺:深反应离子刻蚀(DRIE)工艺或IGP工艺;封装工艺:如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器:如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器,汽车专用压力、加速度传感器,环保用微化学传感器等。

(2)集成工艺和多变量复合传感器微结构集成制造工艺;工业控制用多变量复合传感器,如:压力、静压、温度三变量传感器,气压、风力、温度、湿度四变量传感器,微硅复合应变压力传感器,陈列传感器。

(3)智能化技术与智能传感器信号有线或无线探测、变换处理、逻辑判断、功能计算、双向通讯、自诊断等智能化技术;智能多变量传感器,智能电量传感器和各种智能传感器、变送器。

(4)网络化技术和网络化传感器传感器网络化技术;网络化传感器,使传感器具有工业化标准接口和协议功能。

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