飞兆半导体单一P沟道PowerTrench® MOSFET具有小体积和低导通阻抗
2012-02-23 17:41:39
来源：大比特半导体器件网
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摘要： 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。
特性和优势
FDMA905P:
· 采用2mm x 2mm MicroFET 封装，器件高度 – 最大0.8mm
· 确保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16m at VGS = -4.5V， ID = -10A)
· 具有出色的散热性能(RΘJA = 52 ℃/W)
FDME905PT:
· 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封装，器件高度 – 最大0.55mm
· 确保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22m at VGS = -4.5V， ID = -8A)
· 具有出色的散热性能(RΘJA = 60 ℃/W)
FDMA905P和FDME905PT不含卤化物和氧化锑，满足RoHS标准的要求。两款器件均可在低电压下安全运作，适用于手机和超便携设备。
飞兆半导体是便携技术的领先厂商，提供可定制的丰富的模拟和功率IP产品系列以满足特定的设计需求，以实现“解决方案助您成功”的目标。通过将先进的电路技术集成在微型高级封装中，飞兆半导体为便携产品用户提供了重要的优势，同时能够减小设计的尺寸、成本和功率。飞兆半导体的便携IP业已用于现今大部分手机中。
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