安森美半导体推出低静态电流4通道及6通道开关，支持下一代高速接口
摘要： 2012年3月28日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出两款采用单刀双掷(SPDT)开关配置的新多通道差分开关集成电路(IC)，应用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2输入/输出(I/O)信号等高频信号，目标应用包括笔记本、台式计算机、服务器及网络存储设备。
2012年3月28日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出两款采用单刀双掷(SPDT)开关配置的新多通道差分开关集成电路(IC)，应用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2输入/输出(I/O)信号等高频信号，目标应用包括笔记本、台式计算机、服务器及网络存储设备。
6通道差分SPDT开关NCN3612B由于它的高带宽，支持8 Gbps的数据传输速率。它的导通电容(CON)为2.1 pF(典型值)，导通电阻(RDSON)为8 (典型值)。与这器件相辅相成的是同样能支持8 Gbps工作的4通道差分开关NCN3411。NCN3411的导通电容为2 pF(典型值)，导通电阻(RDSON)为7.5 (典型值)。这些特性使这两款新器件非常适合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信号路由。
安森美半导体接口及电源产品总监高天宝(Thibault Kassir)说：“NCN3612B和NCN3411固有低导通电容及低导通电阻，令其能提供更低的数据边缘速率及更低的插入损耗。因此，这些器件能配合当今系统设计指定的最新高速接口标准提供所需的信号完整性水平。”
NCN3612B的电源电压范围为3伏(V)至3.6 V，消耗的供电电流仅为250微安(µA)(典型值);而NCN3411的电源电压范围为1.5 V至2.0 V，消耗的供电电流为200 µA。这些新器件的环境工作温度范围为40 °C至+85 °C
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