飞兆半导体Generation III XS™ DrMOS系列为电源设计人员提供最高效率,更佳功率密度并节省线路板空间

2012-04-17 11:41:45 来源:半导体器件应用网

摘要:  新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范,正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。

关键字:  多芯片模块,  降压转换器,  分立器件

新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范,正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。

FDMF68xx系列经设计能够降低输出感量和减少输出电容器数目,与普通分立器件解决方案相比,该系列能够节省多达50%的线路板空间,并提高效率,以期满足新能源标准要求。使用飞兆半导体的高性能PowerTrench® MOSFET技术,FDMF68xx系列能够显着减少开关振铃(switch ringing),省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

Gen III DrMOS MCM系列能够支持数字和模拟PWM控制器的3.3V和5V三态PWM输入电压,30V器件选项使得DrMOS能够适应笔记本电脑或UltraBookTM 电源系统的要求。Gen III DrMOS系列在1MHz以上开关频率下提供更高的效率,更高的最大负载电流和功率密度,该系列器件采用6x6mm2 PQFN封装,能够达到效率标准要求并提供每相高达60A的电流。

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