飞兆半导体Generation III XS™ DrMOS系列为电源设计人员提供最高效率，更佳功率密度并节省线路板空间
2012-04-17 11:41:45
来源：半导体器件应用网
摘要： 新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范，正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。
新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范，正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。
FDMF68xx系列经设计能够降低输出感量和减少输出电容器数目，与普通分立器件解决方案相比，该系列能够节省多达50%的线路板空间，并提高效率，以期满足新能源标准要求。使用飞兆半导体的高性能PowerTrench® MOSFET技术，FDMF68xx系列能够显着减少开关振铃(switch ringing)，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。
Gen III DrMOS MCM系列能够支持数字和模拟PWM控制器的3.3V和5V三态PWM输入电压，30V器件选项使得DrMOS能够适应笔记本电脑或UltraBookTM 电源系统的要求。Gen III DrMOS系列在1MHz以上开关频率下提供更高的效率，更高的最大负载电流和功率密度，该系列器件采用6x6mm2 PQFN封装，能够达到效率标准要求并提供每相高达60A的电流。
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