Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标
摘要: 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。
型号 |
电压 (V) |
ID @ 25 ºC (A) |
RDS(ON) @ max 10 V () |
Qg 典型值 (nC) |
封装 |
SiHP6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220 |
SiHF6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220F |
SiHP10N40D |
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220 |
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220F | |
SiHG25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-247 |
SiHP25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-220 |
SiHU3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
IPAK/TO-251 |
SiHD3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
DPAK/TO-252 |
SiHD5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
DPAK/TO-252 |
SiHP5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
TO-220 |
SiHF5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
T-Max® |
SiHU5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
IPAK/TO-251 |
SiHP8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220 |
SiHF8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220F |
SiHP14N50D* |
500 |
14 |
0.40 |
30 |
TO-220 |
SiHG14N50D* |
500 |
14 |
0.40 |
30 |
TO-247AC |
SiHF18N50D* |
500 |
18 |
0.27 |
37 |
TO-220F |
SiHG460B/IRFP460B |
500 |
20 |
0.25 |
85 |
TO-247AC |
SiHG22N50D* |
500 |
22 |
0.23 |
52 |
TO-247AC |
SiHG32N50D* |
500 |
32 |
0.16 |
72 |
TO-247AC |
SiHS36N50D* |
500 |
36 |
0.13 |
92 |
Super TO-247 |
SiHP17N60D |
600 |
17 |
0.34 |
45 |
TO-220 |
SiHG17N60D |
600 |
17 |
0.34 |
45 |
TO-247AC |
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