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三菱电机汽车用J系列EV-IPM和EV T-PM深受欢迎

2012-06-27 16:34:55 来源:半导体器件应用网 点击:1019

摘要:  三菱电机开发给汽车使用的J系列EV-IPM和EV T-PM,在6月19至21日于上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2012中亮相,吸引众多参观者的目光,纷纷了解这个高性能、超可靠、低损耗的汽车用功率半导体模块。

关键字:  EV-IPM,  半导体模块,  电动汽车

三菱电机开发给汽车使用的J系列EV-IPM和EV T-PM,在6月19至21日于上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2012中亮相,吸引众多参观者的目光,纷纷了解这个高性能、超可靠、低损耗的汽车用功率半导体模块

受到近几年环保意识提高的影响,混合动力汽车和电动汽车等市场不断扩大。由于对汽车有着很高的安全性要求,因而对用于汽车马达驱动的功率半导体模块,也要求其具有超出普通工业用途的可靠性。

三菱电机引领业界之先,于2004年采用以硬质树脂封装功率半导体硅片的压注模封装技术,生产出可靠性高且无铅化的汽车用功率半导体模块。 这次,三菱电机又推出新的汽车用功率半导体模块J系列EV-IPM和J系列EV T-PM。

J系列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBTTM硅片技术,模块内硅片上集成电流和温度传感器,杂散电感低。模块采用自1997年以来已成功量产的先进制造工艺,实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理,满足ELV车辆报废指令。目前开发的J系列EV-IPM产品的电流电压等级分别有:300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

 

图片说明:J系列EV-IPM 小型封装和大型封装

J系列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技术,模块内硅片上集成电流和温度传感器。模块内部构造不同于以往用铝电线连接功率半导体硅片和主端子,而是采用DLB构造,成功将主端子延长,使之直接与功率半导体硅片焊接。利用DLB构造提高了模块的可靠性。

此外,模块采用2合1压注膜封装技术,使得模块内的配线电阻和电感得到减小,从而降低了模块的损耗。模块实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理。满足ELV车辆报废指令,确保用于汽车的质量与产品寿命。目前开发的J系列EV T-PM产品的电流电压等级分别有:300A/600V,600A/600V和300A/1200V。详情浏览三菱电机中文网站:http://www.MitsubishiElectric-mesh.com。

图片说明:J系列EV T-PM

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