摘要：  罗姆集团旗下的LAPIS Semiconductor面向搭载多节串联电池结构的锂离子电池组系统，开发出了以单芯片可控制、保护最多达13节锂离子电池组的LSI“ML5235”。与以往产品相比，实现了仅为1/6的超低耗电量，可以轻松配置通常工作和保管时对电池节负担较小的锂离子电池组用保护电路。而且，可以检测锂离子电池的过充电、过放电状态，直接驱动外置的充放电控制用FET。

关键字：  锂离子电池组系统，  ML5235，  充放电控制用FET

罗姆集团旗下的LAPIS Semiconductor面向搭载多节串联电池结构的锂离子电池组系统，开发出了以单芯片可控制、保护最多达13节锂离子电池组的LSI“ML5235”。与以往产品相比，实现了仅为1/6的超低耗电量，可以轻松配置通常工作和保管时对电池节负担较小的锂离子电池组用保护电路。而且，可以检测锂离子电池的过充电、过放电状态，直接驱动外置的充放电控制用FET。

本产品的生产基地为LAPIS Semiconductor Miyazaki Co.， Ltd.(日本宮崎市)，已经从7月份开始量产。

近年来，全球性环境保护行动要求有效利用能源，在工控、消费电子领域，能效较高的锂离子电池取代铅蓄电池的速度日益加快。尤其是随着近年来电动自行车的普及，为了减轻对环境的影响和实现电池本身轻量化，以往的铅蓄电池逐渐被锂离子电池取代，电动工具中使用锂离子电池组的产品也在不断增加。

此前，作为锂离子电池组安全性的电池保护LSI，LAPIS Semiconductor为了针对需求较大的最多支持13节电池组的电动自行车市场，已量产了“MK5207”、“MK5208”。产品由模拟前端用IC和微控制器芯片组组成，通过追加、变更微控制器的程序，可以满足每个系统的不同要求，主要用于电动自行车用途。

另一方面，在电动自行车、电动工具市场，对此类用途需求不断扩大，同时，为了削减零部件个数，降低系统成本，对以单一LSI可检测锂离子电池组的异常并进行保护的电池保护LSI的需求日益高涨。

为了满足这种需求，此次，LAPIS Semiconductor面向搭载5～13节串联锂离子电池组的系统，开发出以单一LSI即可具备异常检测、保护功能的LSI“ML5235”。不仅支持最多达13节锂离子电池组，而且工作时的耗电量仅为以往的1/6，另外，关闭电源时的耗电量接近于零，与原来相比，大大降低了通常工作与长期保管时的电池组负担。

不仅如此，在“ML5235”的外部连接微控制器，微控制器可以测量每个单元的电压值，可实现高精度的余量显示功能，并且配合客户系统，可实现最佳的二次保护功能和充放电FET控制。

LAPIS Semiconductor今后还会进一步完善面向消费电子、工控设备以及其他车载用途的多节串联锂离子电池组的商品阵容。

<特点>

支持多达13节串联电池组

80V高耐压制造工艺，仅1枚芯片即可支持业界最高级别的5～13节串联锂离子电池组。与其他公司产品相比，可简单轻松的配置更高电压的系统。

高精度的异常检测

可高精度地对每节电池的过充电/过放电状态进行异常检测。

过充电/过放电电压检测精度分别是±5mV、±10mV (均为typ.值)。

充放电控制用FET的驱动输出

由于可以直接驱动充放电控制用FET的栅极端子，因此无需追加驱动IC。

满足各种电池规格的商品阵容

根据电池规格可以选择“连接节数、过充电/过放电检测(解除)电压阈值、充电/放电过电流检测阈值”，备有不同掩膜选项下的代码产品。

配备功能扩展用电池节电压监视器输出

通过外部微控制器可以监视每节电池的电压。为了对每个系统进行最佳控制，通过微控制器可实现高精度的余量显示功能和2次保护功能等。

耗电量低

工作时的电流仅为本公司以往产品的约1/6，另外，关闭电源时的耗电量接近于零，可减少电池组通常使用时和长期保管时的电池负担。

通常工作时　25μA (typ)， 60μA(max)

关闭电源时 0.1μA(typ)， 1μA(max)

安装面积小

封装尺寸小，仅为9.7mm×7.6mm×1.85mm，30-pin SSOP封装，因此可实现锂离子电池组用保护电路的小型化。

【应用领域】

电动自行车

电动工具

UPS(不间断电源装置)

【销售计划】

商品名 ：ML5235

样品出货时间 ：出货中

样品价格 ：250日元(不含税)

评估板(单体)：供应中(仅限出借)

量产出货计划 ：9月末开始

【主要规格】

绝对最大额定值 ：86.5V

工作温度范围 ：-40ºC～+85ºC

工作电源电压 ：+7V～+80V

支持电池节数 ：5～13节

耗 电 量 ：通常工作时　25μA(typ)， 60μA(max)

关闭电源时　0.1μA(typ)， 1μA(max)

充放电控制用FET：N-ch FET(直接驱动)

过充电/过放电检测精度：过充电检测精度：5mV(typ)，25mV(max)

过放电检测精度：10mV(typ)，50mV(max)

过充电/过放电检测延迟时间设定：按外部端子的容量负载设定

封 装：30-pin SSOP(9.7mm x 7.6mm × 1.85mm)符合RoHS要求，不含铅，不含卤素

※　本文所提及的公司名称、商品名称基本上是各公司的商标或注册商标。