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灿芯半导体研发出基于中芯国际0.11微米和0.13微米工艺的USB 2.0 OTG PHY

2012-08-28 11:11:45 来源:半导体器件应用网

摘要:  上海,2012年09月25日-- 国际领先的ASIC设计公司及一站式服务供应商,灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)今日宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:981)的0.11微米和0.13微米工艺平台成功开发了USB 2.0物理层设计(PHY),该设计为采用USB 2.0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。灿芯半导体的USB 2.0物理层设计同时支持器件和主机应用的On-The-Go(OTG)规范。

关键字:  物理层设计,  USB2.0,  灿芯半导体

上海,2012年09月25日-- 国际领先的ASIC设计公司及一站式服务供应商,灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)今日宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:981)的0.11微米和0.13微米工艺平台成功开发了USB2.0物理层设计(PHY),该设计为采用USB 2.0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。灿芯半导体的USB 2.0物理层设计同时支持器件和主机应用的On-The-Go(OTG)规范。为了取得比竞争对手的产品拥有更小的芯片尺寸和更低的功耗,灿芯半导体的工程师们在PLL、I/O和其它模块的设计上都做了极大的改善。该新的物理层设计结构也能加快USB物理层IP的开发用于中芯国际的更先进工艺制程。

“USB 2.0在SoC的设计中几乎是必须的”,灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士说,“作为专注于SoC平台的设计服务公司,可靠的、自有的USB 2.0 IP是服务客户的关键。随着该技术的成功开发,我们现在已经拥有全系列的USB 2.0 IP”。

中芯国际商务长季克非表示:“我们很高兴看到我们和灿芯半导体在USB 2.0物理层设计所取得的合作成果。对于大部分USB 2.0的应用,0.11微米和0.13微米仍是平衡各种因素最有利的工艺结点.现在中芯国际可以给客户提供更多USB IP的选择以便于客户实现他们的设计”。

关于灿芯半导体

灿芯半导体(上海)有限公司是一家国际领先的ASIC设计服务公司,为客户提供超大规模的ASIC/SoC芯片设计及制造服务。灿芯半导体由中芯国际集成电路制造有限公司、美国Open-Silicon,以及来自海外与国内的风险投资公司共同创建。中芯国际和Open-Silicon作为灿芯半导体的战略合作伙伴,为灿芯提供了强有力的技术支持和流片保证。定位于90nm/65nm/40nm 及更高端的SoC设计服务,灿芯半导体为客户提供从源代码或网表到芯片成品的一站式服务,并致力于为客户复杂的ASIC设计提供一个低成本,低风险的完整的芯片整体解决方案。详细信息请参考灿芯半导体网站 www.britesemi.com。

关于中芯国际

中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际",纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:981),是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到40纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海,在上海建有一座 300mm 晶圆厂和三座 200mm 晶圆厂。在北京建有两座 300mm 晶圆厂,在天津建有一座 200mm 晶圆厂,在深圳有一座 200mm 晶圆厂在兴建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区提供客户服务和设立营销办事处,同时在香港设立了代表处。此外,中芯国际代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座 300mm 晶圆厂。

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