飞兆半导体的40V PowerTrench® MOSFET在动力转向应用中的功率控制更强、效率更高
2012-12-04 13:50:40
来源：半导体器件应用网
摘要： 汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench® MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。
FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术，改进了电阻并降低了电容。 该器件的RDS(ON) 比其最直接竞争对手低20%，并具有较低的Qg值，可降低功耗并最终提高总体效率。 FDB9403 MOSFET作为用于电流控制的基本开关，可有效控制电能而不将其浪费，因此非常适合电动助力转向、悬架控制和传动系管理等应用。
特色及优势：
· RDS(ON)典型值 = 1m(VGS = 10V，ID = 80A时)，可降低功耗以实现 更高的效率
· Qg(tot)典型值= 164nC(VGS = 10V，ID = 80A时)，可降低功耗以实现更高的效率
· UIS能力
· 符合RoHS标准且通过AEC Q101认证
封装和定价信息(1000片起订，价格单位：美元)
按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内
· 采用D2PAK TO-263AB封装，FDB9403的定价为2.48美元
飞兆半导体在功率半导体器件和模块封装方面的专业知识，与广泛的测试、仿真和优质生产相结合，使其能提供在要求最严苛的汽车环境中表现可靠的产品。 凭借全球范围内的设计、制造、装配和测试设施，设施齐全的飞兆半导体能满足汽车制造商对于质量、可靠性和供货的需求。
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